ไปที่ Shopee เพื่อดูรายละเอียดและสั่งซื้อ · ลิงก์พันธมิตรของเว็บไซต์
Type Designator: IRFB3607PBF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 140 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 75 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 80 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 56 nC Rise Time (tr): 110 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 280 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.009 Ohm Package: TO-220AB
สั่งซื้อที่ Shopee